卓以和(Alfred Y.Cho)，美國電機工程學家。
　　卓以和1937年生于北京，1955年赴美，現任美國朗訊科技公司（AT&T公司）貝爾實驗室半導體研究室主任、半導體研究所所長、教授。1960年畢業于美國伊利諾斯大學，1961年、1968年先后獲該校碩士、博士學位。美國科學院院士（1985）、美國工程院院士（1985）、美國科學與藝術院院士（1989）、中國科學院外籍院士（1996）。
　　卓以和教授是國際公認的分子束外延、人工微結構材料生長和在新型器件研究領域的奠基人與開拓者，被稱為“分子束外延技術之父”。對Ⅲ－V族化合物半導體、金屬和絕緣體的異質外延和人工結構的量子阱、超晶格及調制摻雜微結構材料系統地開展了大量先驅性的研究工作。用研制的新材料，最先研究成功10多種極為重要的、性能優異的新型微波高速電子器件和光電子器件。現在又領導AT&T Bell實驗室半導體研究所的合作者，開創性地研制成功量子阱級聯式新型激光器，被認為是半導體激光器發展中的又一個里程碑。卓以和教授對我國發展分子束外延技術極為關切，給予了關鍵性指導；與我國同行建立了深厚友誼，對促進中美兩國學術交流，提高我國在國際學術界的地位和影響作出了重要貢獻。1996年6月7日當選為中國科學院外籍院士。
　　2007年7月27日，美國總統喬治·W·布什在白宮為過去兩年間在科技領域取得突破性進展的科學家頒發美國國家科學獎章與國家技術獎章。美籍華裔著名材料科學家卓以和是30位獲獎者之一。卓以和因對分子束外延技術和高級電子光子設備發展所作的貢獻而獲獎。